SiC顕微観察装置 SCM-100

  

概要

次世代パワー半導体として、電力損失半減、軽量化のためGaNやSiCが注目されています。
SiCパワーデバイスの問題点として結晶欠陥がありますがこれを解決するためにSCM-100を用いることで迅速に観察、選別することができます。
 
SCM-100はあらかじめプログラムされた電流をSiC試料のトランジスタの内蔵ダイオードに印可する機能を持っています。電流印可時に電流が流れない箇所(欠陥)は発光しないため顕微鏡に取り付けたカメラで撮影して欠陥を見つけることができる装置です。SiC試料表面は顕微鏡で拡大し、可視領域の発光をカメラでモニターして、欠陥の成長をその場観測することができます。画像は最適なインターバルで撮影し保存することができます。オプションのペルチェ冷却水冷ユニットを用いるとSiCデバイス試料台の温度を80℃以下に保ちます。

 

特長
  • SiC試料の顕微鏡画像をカメラで撮影、リアルタイムLCD出力
  • 撮影間隔3秒~24時間で最大撮影枚数999枚、SDカードに保存可能
  • 出力電圧・出力電流・ステータス情報を最速0.1秒サンプリング可能
  • 1台のPCで5台の電源を制御、データ保存可能
  • 17インチ程度のLCDに出力させた場合、観察倍率は約60倍~約200倍
  • SiC試料の欠陥の成長をその場観察できる
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用途

SiCデバイス

 

製品活用例


*1つのソフトで最大5つの電源を管理し、同時スタートも可能です。Vmeas(V)やImeas(A)をリアルタイムで表示させることが可能です。結果はエクセルで保存されます。


SiC欠損部撮影(櫛歯電極使用)

冷却水循環装置
CCA-1112(オプション)


 

主な仕様 SCM-100 ※本仕様は予告なく変更することがあります。

可動ステージ40X40mm
XY可動距離±6.5mm
観察倍率16インチLCD上で約60~約200倍可変
カメラPENTAX Q-S1相当(インターバル撮影可能、Cマウント、ACケーブル付)
レンズCanon ズームレンズ EF-S55-250mm F4-5.6 IS II
制御及びデータ処理PC(LAN, USB端子付き)/OS:Windows®7/8
試料冷却装置(オプション)冷却水循環装置 EYELA CCA-1112
ペルチェ温度コントローラ VTH-3500
直流安定化電源テクシオPSW360L30Y1 最大電圧30V、最大電流36A(30V/12A-10V/36A)
シーケンス作成CSV方式、USBメモリにて読み込み
ロギング機能出力電圧・出力電流・ステータス情報をメモリに保存

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